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芯片解密
IR公司:IR授权英飞凌科技用DirectFET封装技术
时间: 2021-02-15 14:41 浏览次数:
DirectFET 功率封装是业界首个正在SO-8或更幼占位面积,供应高效上部散热的轮廓贴装功率MOSFET封装工夫,实用于算计机、条记本电脑、电信和消费电子筑立的AC-DC及DC-DC功率转换利用。与

  DirectFET 功率封装是业界首个正在SO-8或更幼占位面积,供应高效上部散热的轮廓贴装功率MOSFET封装工夫,实用于算计机、条记本电脑、电信和消费电子筑立的AC-DC及DC-DC功率转换利用。与模范塑料分立封装比拟,DirectFET的金属罐构造拥有双面散热功效,因此可有用将高频DC-DC降压式转换器的电流惩罚才气增添一倍。

  IR企业功率生意部副总裁Tim Phillips呈现:“因为采用了特殊的双面散热计划,IR的DirectFET封装工夫能够消重能量损耗,减幼计划占位面积,是前辈算计、消费及通讯利用首选的治理计划。”

  他还呈现:“咱们络续为撙节能源开采尖端工夫,并通过授权公约扩充 DirectFET这类革新工夫正在节能方面的影响力,进一步扩展咱们正在功率拘束市集最厉重周围的生意。”

  英飞凌科技功率拘束及驱动器生意部高级副总裁兼总司理Arunjai Mittal呈现:“依据这项公约,英飞凌将连续扩充旗下的功率半导体产物系列。把咱们告成的OptiMOS芯片工夫与差异封装规格相连接,以适合广博的利用,使电源计划师可认为特定利用采用节能的、有本钱效益的治理计划。OptiMOS 2和OptiMOS 3器件自己拥有卓绝的特征,现正在加上拥有双面散热才气的封装,将进一步褂讪英飞凌正在功率转换市集的名望。”

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